沿革

2【沿革】

年月

事項

1960年7月

東京都目黒区において当社の前身である㈲東京アイ・テイ・ブイ研究所を設立

X線テレビジョンカメラの開発、設計、製造を開始

1962年8月

資本金1,000千円で日本自動制御㈱を設立

1963年8月

神奈川県川崎市木月へ本社を移転

1965年11月

神奈川県川崎市北加瀬へ本社を移転

1971年5月

磁気テープ走行中のテンションを測定する「テンションアナライザー」を開発

1975年2月

フォトマスクのピンホールを発見する「フォトマスクピンホール検査装置」を開発

1975年4月

「顕微鏡自動焦点装置」を開発

1976年10月

LSIのマスクパタン欠陥を自動検査する「フォトマスク欠陥検査装置」を世界で初めて開発

1980年4月

神奈川県横浜市港北区綱島東へ本社を移転

1985年6月

「カラーレーザー顕微鏡」を開発

1986年6月

商号を「レーザーテック株式会社」に変更

1986年7月

子会社㈱レーザーテック研究所を東京都港区に設立

1986年12月

Lasertec U.S.A., Inc.(現連結子会社)を米国カリフォルニア州サンノゼ市に設立

1987年6月

子会社レーザーテック販売㈱を東京都港区に設立

1989年7月

㈱レーザーテック研究所及びレーザーテック販売㈱を吸収合併

1990年12月

日本証券業協会に店頭売買銘柄として株式を登録

1993年7月

LCD(液晶ディスプレイ)の突起欠陥等を検査し、修正する「カラーフィルター欠陥検査装置」及び「カラーフィルター欠陥修正装置」を開発

1994年11月

位相シフトマスクの位相シフト量を測定する「位相シフト量測定装置」を開発

1996年12月

フォトマスクに装着されているペリクル及びフォトマスクの裏面に付着した異物を検査する「ペリクル面異物検査装置」を開発

1998年8月

半導体ウェハ上の欠陥をマルチビームレーザーコンフォーカル光学系を利用して検査する「ウェハ欠陥検査装置」を開発

2000年2月

フォトマスクのマスクブランクスの欠陥を検査する「マスクブランクス欠陥検査装置」を開発

2001年2月

Lasertec Korea Corporation(現連結子会社)を韓国ソウル市に設立

2004年12月

ジャスダック証券取引所(現 東京証券取引所JASDAQ(スタンダード))に株式を上場(2012年5月上場廃止)

2008年3月

神奈川県横浜市港北区新横浜へ本社を移転

2009年5月

太陽電池の変換効率分布を可視化する「太陽電池変換効率分布測定機」を開発

2010年6月

Lasertec Taiwan, Inc.(現連結子会社)を台湾新竹県竹北市に設立

2012年3月

2013年3月

2017年4月

 

2017年6月

2019年9月

 

2019年11月

東京証券取引所市場第二部に株式を上場

東京証券取引所市場第一部銘柄に指定を受ける

世界で初めてEUV光(波長13.5nm)を用いた「EUVマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置」を開発

Lasertec China Co., Ltd.(Lasertec Taiwan, Inc.の100%子会社)を中国上海市に設立

世界で初めてEUV光(波長13.5nm)を用いた「アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置」を開発

Lasertec Singapore Service Pte. Ltd.(現非連結子会社)をシンガポールに設立

2022年4月

東京証券取引所の市場区分の見直しにより、東京証券取引所の市場第一部からプライム市場に移行

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