当社は、先進の発想を具体化し、人々の生活と文化発展に貢献することを目標にし、商品開発から基礎的な要素技術開発まで幅広い研究開発活動を行っています。
顧客からの要求に即した商品開発及びそのための技術開発は事業部が担当しています。生産プロセス及び生産技術開発は生産・品質本部、近い将来から次世代までの技術開発はR&D本部が担当しています。また、大学、公的研究機関、関連メーカー、技術ベンチャーとの研究開発活動も積極的に行っています。
当連結会計年度の研究開発費は
当連結会計年度の主な研究開発の成果は、下記のとおりです。
・従来比4倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体TFTを開発
第6世代量産ライン(基板サイズ1,500mm×1,850mm)にて、従来の酸化物半導体薄膜トランジスタ(OS-TFT)に対して革新的な特性向上(移動度4倍以上)を実現する技術の開発に世界で初めて(当社調べ)成功いたしました。
本技術は、ディスプレイデバイスの低消費電力化(低周波数駆動時)、VR/AR等メタバース・ディスプレイの映像リアリティ・臨場感の向上に貢献するものと見込んでおり、2024年より事業化を予定しています。
・電波の反射方向が変えられる液晶メタサーフェス反射板を開発
株式会社KDDI総合研究所様と共同で、電波の反射方向を任意な方向へ変えられる、28GHz帯液晶メタサーフェス反射板の開発に世界で初めて(KDDI総合研究所様調べ)成功しました。
本技術により、5Gや次世代移動通信の超高速・大容量なサービスエリアを周辺の電波環境の変化にあわせて拡張することが可能となり、お客さまの利便性の向上が期待されます。今後、実用化を目指し、実証実験を進めていきます。
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