化学 <4973> 日本高純度化学株式会社 研究開発活動

５【研究開発活動】

(1）研究開発活動の基本方針

　当社の研究開発部門のミッションは、最先端のデバイスの表面実装に必要とされる貴金属めっき技術をエレクトロニクス業界に提供することです。

　貴金属めっきの顧客は急速にグローバル化が進んでおり、これに対応するには、当社の研究開発業務を、ソフト技術、材料技術の両面より推進する必要があります。ソフト技術を駆使してグローバル化に対応しながら、一方では次世代の材料技術を長期的な視野で育成してゆくのが当社の研究開発の基本方針です。

　ソフト技術とは、当社の既存のめっき薬品をどのような条件で、かつどのような前工程、後工程との組み合わせで使用するかを検討し、顧客に最適なトータルプロセスを提案する技術です。対象となる電子デバイスは多様であり、顧客の設備も多様です。これらの状況を考慮しながら顧客の満足するソリューションを提供するのがソフト技術で、既存の当社の製品を顧客の設備にいかにフィットさせるか、短期間に解答を出すことが要求されます。

　一方、材料技術とは、既存の薬品では対応できないような課題を解決するための新しい薬品を開発する業務です。新しい薬品はデバイスに用いられ、実装工程を経て、最終的にはエレクトロニクス機器（完成装置）としての一連の評価まで行い、新製品として認定されますので、開発から製品化までには数年の検討期間が必要になることもあり、長期間にわたる計画が必要です。

　特に新規化合物を発見しないと問題が解決されないような製品には、新規化合物の環境試験も行わねばならず、長期間のＲ＆Ｄは避けられませんが、グローバルなファインケミカル企業になるための必須条件と受けとめております。

　なお、当社は単一セグメントのためセグメント毎の記載はしておりません。

(2）研究開発活動の主要課題

　当社は、会社設立以来、エレクトロニクス業界を最大のターゲットとして貴金属めっき薬品を提供してまいりました。近年、めっき液の低金濃度化やめっき皮膜の薄膜化による金使用量を削減（省金化）した仕様が浸透しつつあり、めっき皮膜物性を維持しつつ、このような仕様に対応することが主要課題となっております。

そのような状況の中でも業界に先駆けてＭＰＵパッケージ用無電解金めっき薬品のシアンフリー化を達成しており、技術課題の解決と環境配慮志向の両面で新たな価値を提供しています。

　さらに、省金化に伴う貴金属めっき薬品の販売量低下を補うべく、これまでに集積した貴金属めっき技術を、エレクトロニクス業界以外へ展開すること、貴金属以外のめっき技術へ応用することも課題として取り組んでおります。

　その一つが電池材料への展開です。電気自動車や再生可能エネルギーの導入拡大に伴い、従来よりも安価で軽量かつ長寿命な電池が求められています。電池の充放電反応は、めっきと同じ酸化還元反応（Ｒｅｄｏｘ反応）を利用しています。当社はめっき薬品開発で培ったＲｅｄｏｘ制御技術で電池材料の課題解決にも貢献すべく、新たな技術開発に着手しています。

　このような新たな技術開発を推進するためには、従来のめっきだけに留まらない柔軟な思考力と技術開発力が必要となるため、当社の数倍の技術陣容を有する競合めっき薬品メーカーにも対抗できるユニークな発想を持つ技術陣の育成が必要となります。引き続き、新分野に積極的にチャレンジする人材、資質の高い人材の採用と育成により、技術陣のレベルアップを実現し、開発力の強化を図ってまいります。同時に、当社単独では困難な技術開発を効率的に実施していくため、最適な外部連携を図ってまいります。

具体的には以下の課題に取り組んでまいります。

①　環境問題対応

・有害物質（シアン、鉛）不使用のめっき技術

・穀物由来原料の削減

②　新規要求に対するデバイス対応

・５Ｇ対応のめっき技術

・高密度実装技術対応のめっき技術

・自動車電装化対応めっき技術

③　新しい事業領域の創出

・半導体・センサー・部品などへの展開

・電解液・電極など電池材料へ進出

(3）研究開発の成果

　当期の研究開発の成果は次のとおりであります。

①　５Ｇ対応ニッケル不使用めっき技術（ＤＩＧ、ＥＰＩＧ）

　一般的に厚付けで施されるＮｉめっき皮膜を使用せず、電子回路の細線化に貢献できる最終表面処理プロセスとして期待されており、銅配線上のダイレクト無電解金めっき（ＤＩＧ）、銅配線上のダイレクト無電解パラジウム/無電解金めっき（ＥＰＩＧ）プロセス用の金めっき液及びパラジウムめっきを開発しました。Nｉめっきを省くことから省資源化・生産効率の向上が期待されるだけでなく、高速データ伝送に有利な高周波特性が認められております。

②　高密度パッケージ用無電解金めっき技術

　最先端高密度半導体パッケージ基板用の環境配慮型のノーシアンタイプ無電解金めっき液を開発しました。

③　半導体配線用金めっき技術

　最先端半導体配線用の環境配慮型のノーシアンタイプ電解金めっき液を開発しました。

(4）研究開発費

　第51期（2022年３月期）における、研究開発費の総額は344,709千円であります。