電気機器 <6707> サンケン電気株式会社 研究開発活動

５ 【研究開発活動】

当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の11.58％に当たる20,341百万円であります。
 

半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプトによる設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。

・プラットフォーム技術SPP（Sanken Power-electronics Platform）で着手した新製品を完成させ、継続的に成長する高収益企業へ変換を行うと共に生産改革を実現させ、開発効率1/2とライン生産性２倍を目指した「ものづくり開発センター」を設立。

・高放熱を実現できるDirect Bonded Copper (DBC) 基板と高電流密度化したField Stop IGBT (FS-IGBT)を採用することで、放熱性能を損なわずにパッケージサイズの小型化とパワー素子の低損失化を実現、また、端子数及び端子配置を最適化し、パターン占有面積削減、端子間距離不足の改善も実現した白物家電用モータドライバIC SIM2-151を開発。

・Micro Controller Unit (MCU) をモータドライバICに内蔵することで、ロバストで高効率な特性を少ない開発工数で実現することを目的としたDigital制御IPM (SIM2652M)を開発。

・前モデルと比較しパッケージサイズを30％縮小、絶縁距離確保、各品質要求へ対応し、IGBT, Diode, ゲートドライバICなど必要な部品を１つのパッケージに搭載した車載向けモータドライバIPM SAM265M30AA1 / SAM265M50AA1を開発。

・制御回路が半導体微細化技術とデジタル制御化を進めた新しいソリューションで、電源の高効率化と部品削減、小型化を可能としたデジタル制御電源IC MD6753を開発。

・蛍光体技術を応用し低波長域を低減、「低誘虫性能」及び「レジスト剤への影響低減」を示唆する特殊色LEDを開発。

・小型化要件を実現するための高周波化スイッチング対応や機能安全性を取り込み、高耐圧・大電流に対応した車載用DC/DCコンバータIC MD4010を開発。

・自動車・産業機器市場における高電圧大電流モータドライバの需要の高まりから、最大電圧1200V、最大電流50Aに対応するため、1200V高耐圧BCDプロセスであるSG7UHVプロセスを用いたMIC (Monolithic Integrated Circuit)を開発。

・独自開発した技術を用いて、EMI（電磁干渉）の抑制に優れた効果を発揮するVFP (Vertical Field Plate) -MOSFETを開発。

・従来品と比較し、低コストマイコンチップを使用、Bridgeless PFC制御と電流共振制御を内蔵したフルデジタル制御の電源IC MD6762 /  MD6762Sを開発。

・効率を向上するため動作モードを自動切替、充実した保護機能により構成部品が少なく、コストパフォーマンスの高い電源システムを容易に構成できるPWM型スイッチング電源用パワーIC STR6S161HXD を開発。

・従来品と比較し、待機動作時のトランス音鳴り抑制機能を追加した高効率低ノイズ電源システム向け共振電源用IC SSC3S937を開発。

・低損失、低リーク電流を実現し、汎用性の高い面実装パッケージTO-252を採用したトレンチ構造のショットキーバリアダイオード SPETシリーズを開発。

・精肉用、鮮魚・青果用、総菜用の３種の食材の特性に応じてスペクトルを制御し、最適な光で食材を照らすことにより、よりおいしく見せることが可能な食品専用LEDを開発。

なお、SiCデバイスに関しては、NEDO先導研究プログラム内で産業技術研究所と共同で『高速スイッチング可能でタフなSiCモジュール技術開発』を実施完了いたしました。本成果を活用した高温度動作に於いても安定し、信頼性の高いモジュールの量産化の検討を進めております。

Ganデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業で得られたGan on Si技術を活かし、横型HEMTデバイスのカスタム製品を少量出荷中です。並行して、GaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画して行っております。

また、当社グループは、半導体デバイス事業及びパワーシステム事業でありますが、パワーシステム事業の全セグメントに占める割合が僅少であり、開示情報としての重要性が乏しいため、セグメント情報の記載を省略しております。